記者王翊綺／台北報導
▲ASML分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術。（圖／記者王翊綺攝影）
AI 驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）於SEMICON Taiwan分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，並表示將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能，並降低每片晶圓生產的能耗。
全球半導體產值到 2030 年可望將達 1 兆美元，而 SEMI 預估 AI 驅動的半導體產業成長，將占 5 成以上。為了持續使晶片微縮成本更具效益，推動摩爾定律的進展。ASML 分享最新一代 High NA EUV 微影技術，透過採用新的光學元件，將數值孔徑（numerical aperture）從 0.33 提升至 0.55，提供更高的成像解析度，臨界尺寸（critical dimension, CD）可達到 8nm，讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上實現較現今高出 2.9 倍的電晶體密度；且成像對比度較 0.33 NA EUV 提高 40%，可大幅降低成像缺陷。
ASML High NA EUV 產品管理副總裁 Greet Storms 表示，透過導入 High NA EUV，客戶將可減少量產邏輯和記憶體晶片的製造工序，進而顯著降低製程缺陷、成本和生產週期。High NA EUV（0.55 NA）將與現行的 EUV（0.33 NA）在設計方面有通用性，可降低客戶的導入風險和研發成本。
High NA EUV 微影系統已於去年底開始陸續出貨，產能預計每小時可曝光超過 185 片晶圓，將支援 2 奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。
在先進製程晶片製造中導入 EUV 技術可簡化製程工序、減少光罩數量，達到產能和良率提升，進而降低生產每片晶圓的用電量。ASML 預估，若在先進製程中導入包括 EUV 和 High NA EUV 微影系統，到 2029 年，使用 ASML 微影技術生產每一片晶圓使用的 100 度電，將為整體製程節省 200 度電。
事實上，ASML 不斷致力透過研發創新降低能源消耗，透過與客戶密切合作，在提高生產力的同時，減少製造每片晶圓所產生的能耗。根據 ASML 2023 年報，從 2018 年到 2023 年，ASML EUV 曝光每片晶圓的能耗減少了近 40%，此外更希望到 2025 年再減少 30 – 35% 的能耗。
