財經中心／廖珪如報導
記憶體大廠華邦電（2344）受惠於 DRAM 市場供需結構性轉變與 DDR4 價格急漲，分析人士指出，自 2025 年下半年起，非 AI 記憶體產能持續遭到 AI 應用排擠，使得 DDR4 供給快速收緊，帶動報價與獲利顯著回升。在此背景下，分析師預估華邦電 2025 年與 2026 年稅後每股盈餘（EPS）分別為 0.91 元與 7.52 元。由於記憶體報價漲幅高於先前預期，市場維持對該公司正向看法，並將其目標價上調至 120.3 元，以 2026 年預估 EPS 給予 16 倍本益比評價。
合約價與現貨齊揚：客戶轉向長約鎖定有效供給
市場資料顯示，2025 年第四季 DDR4 8Gb 合約價季增約 43%，現貨價格漲幅更接近 200%。在供需仍高度吃緊的情況下，業界預期 2026 年第一季 DRAM 合約價格漲幅至少達 30%。分析人士指出，這一波價格走勢已促使過去難以切入的客戶主動洽談長期合作，反映市場對 DDR4 產品需求強勁。財報顯示，華邦電 2025 年第三季合併營收為 217.71 億元，季增 3.6%。其中，記憶體相關營收為 141.32 億元，季增 10.2%、年增 9.2%。產品組合方面，客製化記憶體解決方案（CMS）佔營收約 30%，Flash 佔 35%，邏輯產品佔 33%，其中 CMS 成為當季最主要成長動能。
毛利顯著擴張：庫存回沖與產品組合優化推升獲利
受惠於記憶體報價上漲與庫存回沖利益，華邦電第三季合併毛利率升至 46.69%，較前一年同期大幅改善。記憶體產品毛利率由年初約 12% 大幅提升至 51%，邏輯產品毛利率則維持在約 36% 的穩定水準，推動單季稅後 EPS 達 0.65 元。在產能與資本支出方面，華邦電正加快投資步伐，以提升有效產出與交付能力。公司 2025 年資本支出約為 73 億元新台幣，年減逾五成，但主要用於關鍵設備與製程優化。
資本支出大爆發：大舉布局 CMS 產能建置迎向循環高峰
展望未來，2026 年至 2027 年資本支出規模預估接近 400 億元新台幣，其中約 50 億元將用於台中廠 Flash 擴產，其餘約 350 億元將投入 CMS 產能建置。分析人士指出，在 AI 需求持續擴張、非 AI 記憶體供給受限的結構性環境下，DDR4 與利基型記憶體報價仍具支撐，搭配產能與製程升級進度，華邦電在本輪記憶體循環中的獲利彈性與評價空間，均高於過往。
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