財經中心／蕭宥宸報導
▲中國造出「牆內」最新規格的曝光機，但仍落後世界15年。（示意圖／資料照）
中共積極想圓「晶片夢」，但連華為高層都潑冷水，說能造出7奈米就要偷笑。而中共工信部日前端出一份中國能自製DUV曝光機的相關文件，內容稱其分辨率能達65奈米以下、套刻精度在8奈米以下。消息讓大票小粉紅興奮不已，直呼「祖國可生產8奈米晶片」。但其實該規格連造28奈米晶片都不行，更別說要生出7、8奈米晶片。烏龍鬧到外媒也報導，更讓中共自家媒體緊急發稿幫忙上課。
根據中媒《芯智訊》報導，工信部文件中說的DUV曝光機，其實仍是較落後的乾式DUV曝光機，而非更先進的浸沒式DUV曝光機（ArFi曝光機）。雖然比起中國上微公司的SSA600曝光機還先進，但連生產28奈米晶片的能力都沒有，就更別提要造出8奈米、7奈米晶片。
報導指出，簡單來說，曝光機所謂的套刻精度，其實跟光刻製造製程節點水準完全不同。分辨率65奈米，意思就是只能造出大約65奈米的晶片，至於套刻精度8奈米，這個數字是代表機器正確對準晶片線路和電晶體的能力，該數值跟能造出何等大小的晶片無關。
而外媒《Wccftech》指出，攤開中國這款全新DUV曝光機的各項數據做對比，最晚大約在2009年，半導體裝置製造商龍頭艾司摩爾（ASML）就能提供客戶相近規格的曝光機生產晶片。換句話說，中國造晶片能力遠遠落後世界至少15年，想突破技術封鎖，可能得繼續「大撒幣」。
