財經中心／倪譽瑋報導
近期跨國投資銀行高盛（Goldman Sachs）報告指出，光刻機技術是中國在晶片製造業中的「決定性瓶頸」，該技術能讓晶片電路更精、效能更高，相較於台積電等已進展到2奈米，中國仍停留在65奈米製程，進展到5奈米以下需使用高階光刻機，但中國本土技術力有限，需仰賴歐美廠提供，但這些廠商又受於美國出口限制；而西方的光刻機升級進程耗時約20多年，高盛認為中國自行研發，可能也得花上相近時間。
據外媒《Wccftech》報導，高盛最新發布的研究報告，中國在半導體製造關鍵環節「光刻機」技術水準目前僅停留在65奈米，當地缺乏自製高階光刻機的能力，製造5奈米以下製程的晶片需要依靠極紫外光（EUV）光刻機，當地巨頭中芯國際（SMIC）受到美國出口管制，並無法取得。
另外，2奈米製程需要用到更先進的高數值孔徑（High NA EUV）光刻機，該設備由荷蘭艾斯摩爾（ASML）打造，最新的技術能夠將微小電路圖案精確轉印至矽晶圓上，讓電路更精、晶片效能更高，但ASML的光刻機大量採用美國的原產零件，使得美國政府能夠限制該公司對中國銷售。
對比目前台積電等先進晶片製造商都開始量產3奈米產品，也即將量產2奈米晶片；高盛分析，中國本土光刻機產業技術進度，至少落後ASML約20年的時間，另外，ASML的技術從65奈米升級到3奈米以下，也花了約400億美元的研發成本，推斷中國在短期內應難以追上西方。
