隨著生成式AI應用從模型訓練邁向大規模推論，AI伺服器對儲存容量的需求快速攀升。市場傳出，輝達（NVIDIA）新一代CMX（Context Memory eXtension）儲存架構，明年對NAND快閃記憶體的需求可望突破1億TB，三星電子已提前擴大產能，全力支援供貨，AI儲存市場正迎來新一波爆發。

【CMX帶動AI儲存需求飆升】
綜合外媒報導，輝達CMX採用外接式儲存架構，一台設備最高可配置576顆SSD，總儲存容量可達9600TB，大幅提升AI模型推論所需的資料存取效率。

業界分析指出，今年CMX對NAND的需求約3500萬TB，預估2027年將一舉突破1億TB，需求成長幅度驚人，等同全球NAND市場新增一個大型客戶，將對供應鏈帶來深遠影響。

【三星加速布局 三代V-NAND同步推進】
面對AI帶來的新商機，三星電子已全面調整生產策略。目前每月V-NAND晶圓產能超過10萬片，其中約六成產能投入第九代V-NAND生產，良率已突破80%，成為供應輝達CMX的重要產品。

此外，三星第十代V-NAND今年上半年已正式量產，並開始供貨給輝達。新一代產品採用約400層堆疊技術，儲存密度較前代提升逾五成，並首次導入鉬（Mo）材料取代傳統鎢（W）配線，有助縮減配線厚度並提升效能。

同時，第十一代V-NAND也已啟動試產，目標將堆疊層數推升至400至500層，預計下半年擴大測試規模，為未來量產做好準備。

【AI需求恐排擠消費市場】
AI儲存需求持續升溫，也讓高階NAND產能變得更加吃緊。市場分析認為，輝達大量鎖定高階記憶體產能後，未來一般PC、筆電及消費級SSD的供貨可能受到排擠，供需失衡恐推升市場價格，重演先前AI帶動DRAM缺貨、價格上漲的情況。

受惠於AI基礎建設持續擴張，三星2026年記憶體業務獲利也被市場普遍看好，有望迎來新一波成長動能。

【三星、輝達深化合作】
為鞏固雙方合作關係，市場傳出，三星電子董事長李在鎔近期將赴美國舊金山，與輝達執行長黃仁勳會面。外界預期，雙方除了討論高頻寬記憶體（HBM）及下一代NAND供貨外，也將針對南韓資料中心建置、AI基礎設施及半導體合作等議題深入交換意見，進一步強化兩大科技巨頭在AI時代的合作布局。