華邦電（2344）受惠記憶體價格大幅上漲，2026年第2季獲利明顯躍升，18日股價收跌，收在176.5元，不過法人看好總體營運。本土券商18日出具產業速報指出，華邦電第3季利基型DRAM與SLC NAND供需持續吃緊，記憶體價格估再上漲30%至50%，其中DRAM漲勢最強，加上矽電容預計2027年上半年進入量產，有望成為邏輯與記憶體之外的第三成長動能，因此維持買進評等，並將目標價上調至 218元，潛在上漲空間約20%。華邦電第2季合併營收598.43億元，季增56.4%、年增184.7%，其中新唐營收占比13.3%，不含新唐營收則占86.7%。受惠DRAM價格單季大漲約100%、Flash上漲約43%，華邦電記憶體事業毛利率攀升至70.3%，帶動合併毛利率達66.2%。法人估算，華邦電第2季營業利益289.79億元，歸屬母公司稅後淨利243.17億元，EPS約5.40元。公司海外可轉換公司債目前已全數轉換，股本增加至472億元。
除記憶體之外，華邦電首度揭露矽電容布局，預計最快2027年第1季底開始量產，成為後續營運新亮點。法人指出，華邦電矽電容量產產品電容密度約3300nF/mm²，送樣規格更達約5400nF/mm²，主要鎖定AI先進封裝及AI電源管理應用。華邦電目前已投入約40億元建立獨立矽電容產線，不會排擠16奈米DRAM產能，現有規劃產能已有韓系客戶合約覆蓋，同時已有多家MLCC相關業者成為客戶。法人認為，華邦電具備自有堆疊製程及產能，加上供應角色相對中立，對MLCC廠而言具有代工合作優勢，矽電容可望成為公司第三大成長動能。展望第3季，利基型DRAM與SLC NAND市場供不應求情況加劇，法人預估價格季增幅可達約50%；NOR Flash則受CSP大客戶積極備貨、排擠其他應用產能影響，價格估季增約30%。
在量價齊揚帶動下，預估華邦電第3季營收將進一步升至810.95億元，季增35.5%、年增272.5%，毛利率攀升至76%。法人進一步預估，華邦電第3季營業利益可達495.82億元，歸屬母公司稅後淨利417.91億元，EPS上看9.29元；2026及2027年EPS則分別估27.46元與56.06元，均較市場同業平均預估高出約17%。法人認為，儘管市場開始擔憂記憶體價格位處高檔後的反轉風險，但在供應承諾協議及長期供貨協議等商業模式支撐下，本輪記憶體循環的產業獲利底部可望高於過往，因此維持華邦電買進評等，目標價上調至 218元，相當於2026年預估EPS的7.9倍本益比。主要風險則包括DDR4與DDR3價格漲勢不如預期，以及擴產進度或生產良率低於市場期待。
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