資料中心高速互連持續升級，1.6T光通訊已進入量產階段，200G/lane逐步成為主流，並帶動CPO、PIC、FAU與高階光測設備需求同步升溫。本土法人指出，目前1.6T光互連主要可透過8條200Gbps通道或增加100Gbps通道數實現，產業架構呈現可插拔光模組、LPO、NPO與CPO並行。在交換器端方面，Broadcom Tomahawk 6已開始出貨，單晶片交換容量達102.4Tbps並支援CPO，更已著手開發第四代CPO。
輝達Vera Rubin平台則導入Spectrum-X Ethernet Photonics，將CPO直接整合進交換器ASIC封裝，200Gbps SerDes方案已進入量產，主要目的在於降低功耗並支援百萬顆GPU等級的大型AI叢集。矽光子供應鏈也順利進入量產階段，聯電（2303）與SILITH已由新加坡12吋廠交付首批量產矽光子晶圓，累計出貨超過800萬顆每通道PIC，後續並將持續開發純矽光子與薄膜鈮酸鋰方案。
本土法人預期，可插拔式光模組仍可延續至2028至2029年，但隨頻寬與熱密度要求提高，CPO將率先從交換器端擴大導入，而短距離AI互連市場未來仍可能維持多種架構並存。本土法人指出，2026至2028年PIC與FAU整合仍高度依賴主動對位，製程涉及奈米級定位、點膠固化與光學測試。當PIC開始大規模放量後，短期供應鏈瓶頸可能由晶片本身轉向主動對位與光測設備，最容易率先出現供需吃緊。
接收端同樣存在瓶頸，當PIC通道數提高至16條以上，PD與TIA需求將同步放大，其中InP材料外延產能與磊晶品質可能成為關鍵限制。不同材料間的晶格失配容易造成缺陷，使PD製程良率難以穩定突破五成，因此現階段真正限制供給的是材料品質與製程良率。未來CPO競爭將不再只是光晶片性能，而是從外延材料一路延伸到對位封裝與測試的整體量產能力。
放眼1.6T之後，產業將朝3.2T及6.4T發展，單通道速率也會由200G進一步提升至400G。被動對位則被視為降低長期成本的重要方向，若微透鏡及高密度光纖連接能逐步成熟，被動對位有機會自2029年開始滲透，但考量產能建置時程，真正形成大規模量產並明顯取代主動對位的時間點可能要到2030年前後。
其他潛在技術方面，Micro LED與Micro-VCSEL也可能切入更短距離的高密度光互連，若採晶圓內整合，價值將集中在半導體製程端；更長期來看，光互連甚至可能延伸至量子運算，需整合專用的量子光互連架構。整體而言，本土法人認為1.6T只是高速光互連新一輪升級的起點，未來隨單通道速率提升與CPO逐步延伸，各項關鍵材料與光測設備都將成為重要受惠環節。真正的競爭焦點將由能不能做出光晶片，進一步轉向能不能穩定且低成本地把光晶片整合進AI系統之中。
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