今年半導體大展聚焦先進製程，台積與ASML的合作亦是關注焦點。回顧今年台積6月4日股東會上，針對市場關注台積電是否未積極投入High-NA EUV，擔心台積重蹈Intel過去錯失EUV技術發展機會的覆轍，魏哲家回應，台積電早已購置相關設備，也持續投入研發，但現階段尚未投入生產，主要是因為成本效益仍待提升。他表示，公司正持續改善設備生產效率，希望在成本下降、技術效益更成熟後再正式導入量產。至於實際採購數量，他則笑稱：「買幾台不好意思講。」
不過，台積顯然已經取得重大進展，今（8）日，台積發出新聞稿指出，艾司摩爾科技股份有限公司（ASML）與台灣積體電路製造股份有限公司（台積公司），9月7日於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，以將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的價值發揮到極致。該合作目標於2031年之前建立12吋光罩試產線（pilot line），並於2033年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。此項計畫在宣布初期便獲得採用High NA EUV之企業及相關主要供應商的廣泛支持與高度參與意願。
High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除過去需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。這項歷史性的規格轉移，能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的微影優勢，更大幅提升未來世代先進晶片的成本效益與生產良率，為摩爾定律的持續推進奠定堅實基礎。
艾司摩爾總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，預期隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升，初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求，並欣見該合作在初期便獲得半導體製造商、光罩廠商及夥伴的大力支持。台積公司董事長暨總裁魏哲家博士則強調，台積公司深信唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能，藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，期許透過持續創新降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。
在量產導入時程方面，台積公司有意自2030年起，在先進製程量產中正式導入艾司摩爾的High NA技術。隨著先進製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積公司預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。艾司摩爾與台積公司發起這項產業合作，確立於2031年建立試產線、2033年微影系統全面就緒導入量產的明確藍圖，眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席活動並表達強烈參與意願，突顯出全球半導體產業對此轉移的全面支持。
